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Impact係列普克爾盒
Chiron係列普克爾盒
QX係列普克爾盒
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QX1014A短路徑普克爾盒
TX係列普克爾盒
RTP晶體電光Q開關,普克爾盒
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普克爾盒,電光Q開關

時間:2020-05-18 類別:聲光器件和電光器件 關注:11611

固體激光器最理想的光開關,為激光應用提供可靠和穩定的性能

普克(ke)爾(er)盒(he)是(shi)通過(guo)外加電壓(ya)引起電光晶(jing)體(ti)雙(shuang)折射的變化來改變(bian)光的偏振態(tai)。番茄视频app苹果提(ti)供工(gong)業(ye)標(biao)準QX係列,經(jing)濟型(xing)的(de)IMPACT係列,大孔徑的TX普克爾盒。這些KD * P,KTP和BBO晶體的普克爾盒廣泛用於激(ji)光腔的調(diao)Q,鎖(suo)模(mo)激光器的腔倒(dao)空(kong),高重頻(pin)再(zai)生(sheng)放大(da)器控製(zhi)和光學(xue)斬(zhan)波(bo)器中(zhong)。RTP屬於KTP晶體家(jia)族(zu),是(shi)500~3000nm光譜範(fan)圍內的最(zui)佳材料(liao),RTP的出色光電性(xing)能(neng)以(yi)及(ji)高(gao)損傷閾值使其(qi)可(ke)用於許(xu)多(duo)領域(yu)的高功(gong)率(lv)激光應(ying)用(yong):醫療,工(gong)業(ye),國防等(deng)。

番茄视频app苹果一站(zhan)式(shi)供(gong)應各(ge)種(zhong)類型的電光Q開關,普(pu)克爾盒,電光調Q開關,電光調製盒,Q開關,EOM,電光調製器,KDP電光Q開關,KDP普(pu)克爾盒,BBO電光Q開關,BBO普(pu)克爾盒,CdTe電光Q開關,铌(ni)酸鋰(li)電光調製器,強(qiang)度調製器,相(xiang)位調製器,可提供選(xuan)型、技術(shu)指導、安(an)裝(zhuang)培訓、個性定(ding)製等全生命(ming)周期(qi)、全流(liu)程服務(wu),歡(huan)迎聯係番茄视频app苹果的產品經理(li)!

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普克爾盒也叫普克爾斯盒,是一種由電光晶體(附有一些電極(ji))組(zu)成(cheng)的裝置,光束(shu)可以通過它(ta)傳播(bo)。晶體中的相位延遲(→ 普克爾斯效(xiao)應)可以通(tong)過施加可變電壓來調製。因此(ci),普克爾盒充(chong)當電壓控製波片(pian)。普克爾盒是電光調製器的基本(ben)組件,例如用於(yu)調Q激光器。它的原(yuan)理就是克爾電光效應,即(ji)放在電場(chang)中的晶體,由(you)於其分子(zi)受(shou)到電力的作(zuo)用而(er)發生取(qu)向(xiang)(偏(pian)轉(zhuan)),呈(cheng)現各向異(yi)性,結果產生雙折(zhe)射(she),即沿兩個不(bu)同方(fang)向物質(zhi)對(dui)光的折射能力(li)有所不同。普克爾盒一般用來(lai)做電光調製器,電光調製器是一(yi)套係統,需(xu)要(yao)普克爾盒加(jia)上驅動電源,根(gen)據參數需求(qiu)不同可選擇不同的調製類型和調製頻率。一般對光有3種調製:強度(du)調製,偏振(zhen)態調製和相位調製。

幾(ji)何形狀和(he)材料

關於外(wai)加電場的方向,普克爾盒可以有兩種不同的幾何形狀:

縱向器件具有沿(yan)光束方向的電場,光束穿(chuan)過電極中的孔。大光圈很(hen)容易實現,因為(wei)所(suo)需的驅(qu)動(dong)電壓基(ji)本上與(yu)光圈無關(guan)。電極可以是金(jin)屬環(左)或(huo)帶有(you)金屬觸點(dian)的端(duan)麵(右)透(tou)明層(ceng)。G&H公司在(zai)其KDP/KD*P普克爾盒(QX、CQX、IMPACT和TX係列)的產品中使(shi)用了(le)這(zhe)種設(she)計。

橫(heng)向裝置具有垂直(zhi)於光束的電場。該(gai)場通過晶體側(ce)麵的電極施(shi)加。對於小孔徑(jing),它們(men)可以具(ju)有較(jiao)低(di)的開(kai)關電壓。G&H公司的LiNbO3、BBO和CdTe普克爾盒(Chiron和IRX係列)采用這種設計(ji)。

普克爾盒常見的非(fei)線性晶體材(cai)料有磷酸二氘鉀(jia)(KD*P =DKDP)、磷(lin)酸(suan)氧(yang)鈦鉀(KTP)、β-硼酸鋇(BBO)(後(hou)者用於更高的平均(jun)功率和/或更高的開關頻率),铌酸鋰(LiNbO3)、鉭酸鋰(LiTaO3)和磷酸二(er)氫銨(an)(NH4H2PO4,ADP)。

半波電壓

普克爾盒的一個重要特性是半(ban)波電壓Uπ(也(ye)稱為Uλ/2或Vλ/2)。這是引起π相變所需的電壓,相當於半個(ge)光波長(zhang)。在調幅(fu)器中,施加的電壓必(bi)須改變這個值(zhi),以便(bian)從傳(chuan)輸最小的操作點到(dao)傳輸最大的操(cao)作點。具有橫向電場的普克爾盒的半波電壓取決於晶體材料、電極間(jian)距和施加電場的區(qu)域的長度。對於更(geng)大的開孔,電極間距需要更大,因(yin)此電壓也需要更大。對於具有縱向電場的普克爾盒,晶體長度無關緊(jin)要,因為例如(ru)較短的長度也會(hui)增加給(gei)定電壓的電場強度。在不增(zeng)加半波電壓的情(qing)況下可以實(shi)現(xian)更大的孔徑。典(dian)型的普克爾盒具有數百甚至數(shu)千伏(fu)的半波電壓,因此大調製深度需要高壓放大器。對於高度非線(xian)性晶體材料(如LiNbO3)和具有小電極間距的集(ji)成光調製器,相對較小的半波電壓是可能的,但此類(lei)器件的功率處理能力有限(xian)。

調製帶(dai)寬

普克爾盒可能的調製帶寬可能非常高——許多兆赫(he),甚至可能是數千(qian)兆赫。它基本上(shang)僅受可以修(xiu)改電光晶體中電場強度的速度的限製。因此,它基本上受到所使用的普克爾盒驅動器電子設備的限製,並且可能受到驅動器和普克爾盒之間的電纜連接(jie)的限製。然而,具有高電容的普克爾盒使驅動器更難以實現高帶寬。因此,使用具有低介電敏感性εr的晶體材料是有益的。此外,所選擇(ze)的電極幾何形狀可以發(fa)揮(hui)作用,並(bing)且(qie)這也可能受到例如關於開孔(kong)的要求的影(ying)響。

G&H普克爾盒、電光Q開關

基本型號如下:

產品係列波長有效孔徑重複頻率本征對比 (ICR)電壓對比(VCR)光學材料
Chiron係列200–1650nm3.25–7mm1MHz>1000:1@ahv61064nm>1000:1@ahv61064nmBBO
Impact係列300-1100nm8-13mm1kHz>4000:1@ahv61064nm>3500:1@ahv61064nmKD*P
QX係列300–1100nm9.5–19.5mm3kHz5000:1@ahv61064nm>1000:1@ahv61064nmKD*P
QX1014A300–1100nm8mm10kHz>1200:1@ahv6633nm>450:1@ahv6633nmKD*P
TX係列300–1300nm19.5–99mm1kHz

KD*P
IRX係列 7.0–12µm3–10mm100kHz>500:1@ahv610.6µm>500:1@ahv610.6µmCdTe

Chiron係列BBO普克爾盒

Chiron BBO普克爾盒在200–1650nm波長範圍(wei)內工作,有效孔徑為3.25–7mm,重複(fu)頻率高達1MHz。在1064nm處(chu)提供>1000:1的壓電係(xi)數比(bi)。利用雙晶體幾何(he)結(jie)構,具有最小(xiao)驅動電壓(四分之一波電壓:2.3kV@ahv61064nm)。Chiron BBO普克爾盒提高了高重複率和高平均功率激光應用的標準(zhun),因為其吸收率低,可減少(shao)熱透鏡(jing)效應和消(xiao)偏振。低吸收(shou)是通過卓(zhuo)越的晶體質量實現的,番茄视频app苹果通過利(li)用晶體生長、製造和拋(pao)光技(ji)術的專(zhuan)有技術來實現這一點,以提供可靠、高性能的普克爾盒。該係列普克爾盒可用於再生放大器、高脈(mai)衝重(zhong)複率微加工激光器和用於材料加工和金屬(shu)退(tui)火的高平均功率激光器,以及任(ren)何其他高功率激光應用。

Chiron係列BBO普克爾盒

主(zhu)要特(te)點

  • 高達1MHz的高脈衝頻率

  • 固態

  • 低噪音(yin)

  • 抗(kang)損(sun)傷陶瓷(ci)孔徑

  • 緊湊的設計

  • 高可靠(kao)性

  • 高平(ping)均功率運行

主要優勢(shi)

  • 適用於高平均功率係統

  • 低吸(xi)收,熱(re)效應低

  • 卓越的高重複率性能

  • 提供技術支(zhi)持

應用

  • 軍(jun)事(shi)

  • OEM 和替(ti)換(huan)激光係統:

    • ‒ 加工、打標、鑽孔

    • ‒ 眼科

    • ‒ Q開關和再生放(fang)大器

    • - 研(yan)究(jiu)

型號Chiron 2.6Chiron 3Chiron 4Chiron 5Chiron 7
通光孔徑2.6mm3.25mm4mm5.5mm7mm
單程插入損耗@1064nm
本征對比(ICR)@1064nm>1000:1>1000:1>1000:1>1000:1>1000:1
電壓對比 (VCR)@1064>1000:1>1000:1>1000:1>1000:1>1000:1
單程波前畸變@1064nm
鍍膜層損傷閾值LIDT,
 10Hz@ahv61064nm,10ns,~1mm直徑
10J/cm210J/cm210J/cm210J/cm210J/cm2
電容(DC)~4pF~4pF~4pF~4pF~4pF
直流1/4波電壓(±6%)@1064nm1.9kV2.3kV2.9kV3.8kV4.7kV
儲存和運輸的溫度-25℃至50℃-25℃至50℃-25℃至50℃-25℃至50℃-25℃至50℃
理論上10-90%上升時間(50Ω電線)~ 1ns~ 1ns~ 1ns~ 1ns~ 1ns
1s占空比
外形尺寸直徑25.3mm,長57.7mm

1MHz重複率下的普克爾盒性能標準化(hua)為100%的起(qi)始(shi)對比度

Impact係列KD*P普克爾盒

Impact係列(lie)KD*P普克爾盒在300-1100nm波長範圍內(nei)的透射率超(chao)過98.5%,有效孔徑範圍為8-13mm,本征對比度>4000:1,在1Khz頻率下工作,采用了最好(hao)的無應力、高度氘化的KD*P晶體。陶瓷孔徑確保(bao)在嚴(yan)苛的應用中也具有穩(wen)定的性能。可用於多種激光波長的超高的損傷(shang)閾值的溶(rong)膠(jiao)和AR鍍膜。選配標準的針型連接器(適(shi)用於高電壓應用),簡(jian)便的設計方便客(ke)戶(hu)快速的連(lian)接和組裝,客戶也可選擇傳統(tong)的螺(luo)紋(wen)接頭。IMPACT係列(lie)是采用幹燥的氮氣回吹來保護的真空密封,價格合理,專為設備(bei)製造商(OEM)研製。

Impact係列KD*P普克爾盒

主要特點

  • 高達1MHz的高脈衝(chong)頻率

  • 小尺寸(cun)適合微型係統

  • 緊湊–重量輕且節省空間

  • 抗損傷陶(tao)瓷孔徑

  • 高透射率和對比度

  • 高抗光學損傷性

  • 工作頻率為1kHz

應用

  • 軍事

  • OEM

  • 研究

  • 教(jiao)育

  • 醫(yi)療

型號Impact8Impact9Impact10Impact13
通光孔徑8mm9.25mm10mm13mm
單程插入損耗@1064nm
本征對比(ICR)@1064nm>2000:1>2000:1>2000:1>2000:1
電壓對比 (VCR)@1064>1500:1>1500:1>1500:1>1500:1
單程波前畸變@633nm
電容(DC)6pF6pF6pF6pF
直流1/4波電壓(±6%)@1064nm3.5kV3.5kV3.5kV3.5kV
理論上10-90%上升時間(50Ω電線)0.8ns0.9ns1.1ns1.1ns
鍍膜層損傷閾值LIDT,
 10Hz@ahv61064nm,10ns,~1mm直徑
10J/cm210J/cm210J/cm210J/cm2

QX係列KD*P普克爾盒

QX係列KD*P普克爾盒在300–1100nm波長範圍內工作,有效孔徑為9.5–19.5mm,重複頻率高達3kHz。在1064nm處提供大於2000:1的電壓對比度。QX係列為KD*P普克爾盒設定了標準,采用寬(kuan)帶、高損傷閾(yu)值溶膠凝(ning)膠增透膜及緊湊(cou)型設計,以提高耐(nai)用性和性能,具有堅固(gu)的陶瓷孔徑和優(you)質的紫(zi)外級熔(rong)融(rong)石(shi)英(ying)窗口(kou),可實現高透射率和對比度。

QX係列KD*P普克爾盒

主要特點

  • 幹性或液體密封

  • 99.9% KD*P重氫工業化標準

  • 無環(huan)氧和粘結劑(ji)

  • 紫外級熔融矽(xi)窗口

  • 有效孔徑為9.5–19.5mm

  • 業內最低的吸收率

  • 最高的抗光學損傷能力

  • 工作頻率為3kHz(10kHz衰(shuai)減模型)

應用

  • Q 開關、脈衝拾取和腔倒空器

  • 工業和軍事OEM,研究激光器係統教育

型號QX1020QX1320QX1630QX2035
通光孔徑9.25mm12.3mm15.1mm19.5mm
單程插入損耗@1064nm
本征對比(ICR)@1064nm5000:15000:15000:15000:1
電壓對比 (VCR)@10642500:11500:11800:11000:1
單程波前畸變@633nm
電容(DC)5pF7pF9pF13pF
直流1/4波電壓(±6%)@1064nm3.5kV3.5kV3.5kV3.5kV
理論上10-90%上升時間(50Ω電線)0.8ns1.1ns1.1ns1.5ns

QX1014A短路徑KD*P普克爾盒

QX1014A短(duan)路(lu)徑KD*P普克爾盒作為行業標準QX係列普克爾盒中最新型號(hao),在300–1100nm波長範圍內工作,具有從8mm起的短(duan)路(lu)徑長度有效孔徑,重複頻率高達(da)10kHz。在633nm處提供大於1200:1的電壓對比度,並具有緊湊的設計,具有堅固的陶瓷孔徑和優質的紫外熔融石英窗口,可實現高透射率和對比度。采用寬帶、高損傷閾值溶膠凝膠增透膜(mo),以提高耐用性和性能。采用短(duan)路(lu)徑長度零件用來減少在高峰值功率應用和飛秒應用中光脈衝在非線性介質中傳播時導致的非線性自聚焦效應。衰減(jian)(阻尼(ni))修改允(yun)許高達10kHz的有效操作從而有效的抑製了聲(sheng)振效應。番茄视频app苹果可提供多種AR鍍膜,包(bao)括番茄视频app苹果的獨(du)有的700-1000nm AR鍍膜-非常適合(he)減小鈦(tai)藍寶石再生放大器的插(cha)入損耗。

QX1014A短路徑KD*P普克爾盒

主要特點

  • 短路徑長度,運(yun)行(xing)高達10kHz

  • 可定製AR鍍(du)膜,包括適用於鈦藍(lan)寶(bao)石帶寬的AR鍍(du)膜、波長可選、陶瓷通光孔徑、低VOC材料和高質量(liang)KD*P晶體

主要優勢

  • 高損傷閾值

  • 低插入(ru)損耗(hao)

應用

  • 光譜(pu)學用超快再生放大器

  • 材料加工

  • 光學參(can)量放大

  • 生命科學用飛秒激光(如LASIK)和材料加工(如光刻(ke)掩模修複)

  • 科學研究

主要技術參數

  • 通光孔徑:8mm

  • 本征(zheng)對比(ICR)@633nm:>1200:1

  • 電壓對比 (VCR)@633nm:>450:1

  • 光傳輸(shu)@鍍膜波長:>98%

  • 直流半波電壓@633nm:≤3.8kV

  • 透射波畸(ji)變@633nm:λ/8

  • 外形(xing)尺寸:直徑34.8mm,長度51.6mm

TX係列KD*P普克爾盒

TX係列KD*P普克爾盒在300–1300nm 波長範圍內工作,具有19.5–99mm 的大有效孔徑,重複頻率高達1kHz。在1064nm處提供大於8000:1的電壓對比度。還配有亞微米級的軸(zhou)向可調窗口,用於調節窗口/晶體間距,同(tong)時配有224 TPI精(jing)密調節螺絲可用於再次調節(jie)窗(chuang)口平行度和弧度。

TX係列KD*P普克爾盒是目前市(shi)麵上最先進的應用於高功率的大口徑光學隔(ge)離器。番茄视频app苹果作為業界的先(xian)驅研發的激光誘(you)導核聚變和亞(ya)微米(mi)微(wei)光刻技術的普克爾盒現有大約300台在全球範圍內使用,所售數量是其他製造(zao)商所售總(zong)和的兩(liang)倍多。番茄视频app苹果利用最先進的技術特別修改了圓柱(zhu)形環形電極幾何結構,用來實現光均勻(yun)的傳輸達到最佳的消光比和最短的光路。番茄视频app苹果在TX係列普克爾盒上安裝優質的50Ω  GHV係列電氣插座,因為其額(e)定值為20kVDC和1GHz(需與RG-8 A/U或RG-213/U同軸電纜(lan)一起使用)。

TX係列KD*P普克爾盒

主要特點

  • 亞微米級軸向可調窗口,用於調節窗口/晶體間距

  • 224TPI精密調節螺絲,用於調節窗口平行度和弧(hu)度

  • 雙循環口

  • 易(yi)於檢(jian)查(cha)和清(qing)潔的水(shui)晶鏡麵

  • 50Ω傳動線標準配(pei)置。

  • 精密加工不含環氧樹(shu)脂(zhi)

  • 可提供各種孔徑尺寸

主要優勢

  • 擴束可降低光強

應用

  • 超短超強激光器的Q開關和光隔離(li)器

  • 高功率可見(jian)光和近紅外激光器的光隔離和低頻調製

型號TX2042TX2650TX3460TX5065TX7595TX100D
通光孔徑19.5mm25.5mm33.5mm49.5mm73.5mm99.0mm
晶體氘化95%95%95%95%95%95%
單程插入損耗@1064nm3.5%4%5%5%6.5%7%
本征對比(ICR)@1064nm>2000:1>2000:1>2000:1>2000:1

電壓對比 (VCR)@1064
 交叉偏振器
 平行偏振器
8000:1
3000:1
8000:1
2500:1
6000:1
1500:1
3000:1
500:1
800:1
300:1
200:1
100:1
單程波前畸變@1064nm
最大殘餘雙折射(通常小於孔徑的1%)
直流半波電壓@1064nm6.4kV6.4kV6.7kV6.9kV7.3kV7.7kV
電容 @ 1 kHz23pF27pF32pF56pF86pF115pF
理論上10-90%上升時間(50Ω電線)1ns<2ns2ns3ns5ns7ns
尺寸(LxHxW)*85x80x85mm97x87x92mm102x95x103mm115x111x119mm151x136x144mm157x161x169mm
重量1.1kg1.4kg1.9kg2.7kg5.4kg7.5kg

L=沿光軸方向的外殼長度;W=電氣(qi)端子之間的寬度;H=高度。可提供某(mou)些(xie)特定尺(chi)寸的99%氘(dao)化 KD*P和UV級KDP。點擊(ji)此處查看(kan)TX係列50Ω傳輸模式接線信(xin)息

IRX係列CdTe普克爾盒

IRX係列CdTe普克爾盒在7.0–12µm波長範圍內工作,有效孔徑為3–10mm,重複頻率高達100kHz,在10.6µm處提供>500:1的電壓對比度。IRX係列具有專利設計,可將(jiang)CdTe晶體與外部(bu)環境隔離,從而延(yan)長使用壽(shou)命,並提供水冷(leng)設計以提高平均功率處理能力。由於碲(di)化鎘具有電光係數高和不易吸水的特性,它作為Q開關主要用於3-12um波段,特別是二氧化碳激光器中。根據(ju)客戶要求,可以切(qie)成布儒(ru)斯(si)特角端麵(mian),也可以根據客戶指(zhi)定的激光波長鍍膜。

IRX係列CdTe普克爾盒

主要特點

  • 高電光效應的CdTe晶體

  • 可提供3-10 mm氬(ya)塗層或布魯斯特切割(ge)晶體的孔徑

  • 環境隔離EO晶體

  • 可提供定製版本

  • 可提供主動冷卻(que)(申請(qing)專利中)

  • 3μm-12μm到100 kHz

  • 環境控(kong)製和大功率水冷選項(申請專利中)

  • 防潮(chao)材料

  • 低光吸收

主要優勢

  • 高對比度

  • 寬光譜範圍

應用

  • 二氧化碳(tan)激光調Q

  • 紅(hong)外脈衝選擇器

型號IRX3IRX4IRX5IRX7IRX9
通光孔徑3mm4mm5mm7mm9mm
光通過率>98%@10.6μm>98%@10.6μm>98%@10.6μm>98%@10.6μm>98%@10.6μm
本征對比(ICR)@10.6μm>500:1>500:1>500:1>500:1>500:1
電壓對比(VCR)@10.6μm>500:1>500:1>500:1>500:1>500:1
單程波前畸變@10.6μm
電容(DC)6pF6pF6pF6pF6pF
直流1/4波電壓(±6%)@10.6μm~4kV~5kV~6kV~7kV~9kV
理論上10-90%上升時間(50Ω電線)~0.3ns~0.3ns~0.3ns~0.3ns~0.3ns
1s占空比
激光損傷閾值2.3J/cm2,直徑1mm,2.94µm,2Hz,100ns
光譜操作範圍必須在5-12µm範圍內指定波長或波段
外形尺寸直徑34.9mm, 長度92.7mm

可按客戶要求定製孔徑。建議在1/10的流量下運行,以延長使用壽命。LIDT將隨波長和光束參數變化。

EKSMA普克爾盒

KTP普克爾盒

PCK/PCR係列普克爾盒基於特殊生長的高電阻(zu)率KTP或RTP晶體。突(tu)出(chu)的特點是可以在高占(zhan)空比下(xia)操作KTP/RTP 普克爾盒,甚至(zhi)可以在高電壓下保持更長時(shi)間。KTP/RTP普克爾盒可以采用標準的一英寸外殼(ke)或在需要小尺寸時采用開放式OEM安裝。

KTP普克爾盒

主要特點

  • 相較於雙BBO普克爾盒電池電壓要求小兩倍

  • 在低頻下以高占空比運行

  • 與DKDP晶體相比,壓電共振非常(chang)低

  • 標準通光孔徑:4x4和6x6 mm

主要應用

  • 用於高重複頻率激光器1kHz–6MHz的調Q

  • 高重複率激光器的脈衝選擇器

型號PCK4PCK4-OPCK6PCK6-O
通光孔徑Ø3.5 mmØ3.5mmØ5.5mmØ5.5mm
晶體數量2222
半波電壓(@1064nm)
電容4pF4pF
光傳輸(@1064nm)>98%>98%>98%>98%
對比度>1:500>1:500>1:500>1:500
尺寸Ø25.4×42.2mm25×11.1×7.5mmØ25.4×42.2mm25×13.8×10.6mm

DKDP(KD*P)普克爾盒

普克爾盒的作用是在KD*P等電光晶體的電極上施壓用來改(gai)變通過這些晶體的的光的偏振態。當(dang)它與偏振器一起使用時,普克爾盒可以用作快速(su)關斷(duan)開關。典型應用包括激光腔的調Q,實現激光腔倒空將光注入或從(cong)再生放大器中耦(ou)合出來。KD*P普克爾盒通常用於400~1100nm的調Q應用。市麵大多數燈泵浦Nd:YAG激光器、紅寶石激光器和低重複率DPSS激光器的激光腔調Q開關都是使用KD*P普克爾盒。所有的電光KD*P晶體都鍍有高損傷閾值AR膜層。此外, PC12SR、D-compact和D-mini係列的普克爾盒還特有AR鍍膜窗口,可以保護(hu)和提高此產品在不太(tai)好的環境中的使用壽命。

DKDP(KD*P)普克爾盒

主要特點

  • 低吸收高氘材料

  • 針對所需波長的高損傷閾值介電增透膜

  • 工作電壓不依賴(lai)於晶體孔徑,因此可提供大孔徑

  • 由於GVD低,適用於飛秒應用

  • 可根據要求提供基於單晶的三端子設計

主要應用

  • 高功率燈(deng)泵(beng)浦(pu)和低重複率二極管泵浦激光器的調Q

  • 脈衝選擇器

  • 激光腔倒空器

規格標準矩形KD*P標準圓形KD*P緊湊型 KD*P迷你 KD*P
型號PC5S-1064PC10S-1064PC12SR-1064PC12SR-532PC12SR-694PC14x45SR-1064D-Compact/9-1064D-Compact/12-1064D-mini/8-800D-mini/9-1064
通光孔徑,mm4.5x4.59.5x9.5Ø11Ø11Ø11Ø13.6Ø8Ø11Ø7Ø8
晶體尺寸,mm5x5x1610x10x25Ø12x24Ø12x24Ø12x24Ø14x45Ø9x20Ø12x24Ø8x12Ø9x20
晶體數量1111111111
λ/2電壓, kV DC
電容,pF1.54666106636
光傳輸,%>97>97>97>97>97>97>97>97>97>97
對比度*> 1:2000>1:2000>1:2000>1:2000>1:2000>1:2000>1:2000>1:2000>1:2000>1:2000
尺寸,mm18x14x2522x18x33Ø35x41.6Ø35x41.6Ø35x41.6Ø35x75Ø25.4x35Ø25.4x39Ø19x19Ø19x25.4

*用正交(jiao)偏光片法(fa)測量

BBO普克爾盒

BBO普克爾盒是橫向磁(ci)場器件,電光係數低,工作電壓高,電壓與電極間距和晶體長度的比值成正比。采用雙晶體設計以降(jiang)低所需電壓,並可在半波模式下快(kuai)速切換。當與偏振器一起使用時,它可以用作快速關斷開關。典型應用包括激光腔(qiang)的調Q,實現激光腔倒空將光注(zhu)入或從再生放大器中耦合出來。Quatro BBO普克爾盒采用四晶設計,兩側獨立(li)控製,可以由兩組同步(bu)的普克爾盒驅動器控製,從而實現高級偏振控製。

BBO普克爾盒

主要特點

  • 低吸收高氘材料

  • 針(zhen)對所需波長的高損傷閾值介(jie)電增透膜

  • 工作電壓不依賴於晶體孔徑,因此可提供大孔徑

  • 由於GVD低,適用於飛秒應用

  • 可根據要求提供基於單(dan)晶的三端子設計

主要應用

  • 高功率燈泵浦和低重複率二極管(guan)泵浦激光器的調Q

  • 脈衝選擇器

  • 激光腔倒空器

型號PCB3SPCB3DPCB3S/25PCB3D/25PCB4SPCB4DPCB4Q-CPCB6.3SPCB6.3DPCB8D
通光孔徑,mm2.52.52.52.53.53.53.55.85.87.5
晶體尺寸,mm3x3x203x3x203x3x253x3x254x4x204x4x204x4x206.3x6.3x206.3x6.3x208x8x20
晶體數量1212124122
λ/4 電壓 (@ 1064 nm), kV DC
電容,pF4646366
光傳輸,%>98>98>98>98>98>98>98>98>98>98
對比度*>1:1000>1:500>1:1000>1:500>1:1000>1:500>1:500>1:1000>1:500>1:500
尺寸,mmØ25.4x37.2Ø25.4x57.2Ø25.4x42.2Ø25.4x67.2Ø25.4x37.2Ø25.4x57.2Ø25.4x112Ø35x42.2Ø35x57.2Ø35x64

上麵提供的普克爾斯盒的所有晶體都(dou)鍍有AR/AR@ahv61064nm。可根據要求提供其他抗反(fan)射塗(tu)層。對於1064nm的10ns脈衝,損傷閾值>5J/cm2。

RTP晶體電光Q開關

RTP(磷酸鈦氧銣)晶體屬KTP族晶體,因其良(liang)好的電學與光學性能,包括較高的電阻率(約(yue)1011-1012Ω·cm和抗光傷閾值,非常適合用做電光器件,如激光Q開關、快門、相位和振幅調製器、脈衝選擇器,腔倒空器和偏轉器。

RTP晶體電光Q開關

我公司提供的RTP晶體Q開關,采用雙晶體結構,兩塊(kuai)晶體光軸彼此垂直,可以自動補(bu)償環境溫度變化,是一種無需溫控的激光器件。除(chu)此之外,RTP晶體器件還具有下列明顯(xian)優勢:

  • 適用波長:450nm  – 3μm,器件消光比 > 23 dB

  • 雙晶體總的電容量很小, 5mm長晶體的總電容(rong)量為2-3pF或10mm長晶體的總電容(rong)量為3-4pF,可實現脈衝上升/下降時間:0.5-5ns

  • 與其它電光Q相比,具有較低的半波電壓,更容易控製

  • 晶體內部質量好,光學吸收低,雙晶體的總體透光率>98.5%

  • 動態、靜(jing)態半波電壓基本一致,易於安裝和調節

  • 適用於高頻操作,最高開關頻率可達1MHz

  • 小巧的外形和較低的操作電壓,使其更適於新(xin)型的光纖(xian)與碟(die)片激光器應用

  • 最大15x15mm²口徑器件可用於大型軍工和航(hang)天(tian)用途(tu)激光器

  • 使用溫度﹣50-70℃,無(wu)需溫控

  • 晶體損傷閾值達1GW/cm² @ 1064nm, 10ns脈寬

  • 晶體不潮解,介電常數低,優良的電學穩定性,可長期承(cheng)受外加電壓

  • 在高頻工作時,極低的振鈴(ling)效應,遠(yuan)遠低於BBO電光Q的振鈴效應

RTP晶體電光Q型號定義規則:
  型號:Ty ‐ D ‐ O ‐ Cr ‐ L ‐ E ‐ W
  Ty ‐ 晶體類別(bie): R (RTP)
  D ‐ 電光器件: Q (電光Q),M  (雙晶體結構(gou)),或S  (單晶體結構)
  O ‐ 晶體切割方向: X  / Y / Z
  Cr ‐ 晶體截麵 [mm]
  L ‐ 晶體長度 [mm]
  E ‐ 消光比20/23/25/30 [dB]
  W ‐ 工作激光波長  [nm]

典型電光Q開關晶體尺寸和半波電壓(外觀(guan)尺寸圖(tu)

器件型號晶體尺寸[mm]半波電壓(kV)器件型號晶體尺寸半波電壓(kV)
R-Q-Y-020-5-20-10642 x 2 x 51.3R-Q-Y-020-10-20-10642 x 2 x 10.66
R-Q-Y-030-5-20-10643 x 3 x 52.0R-Q-Y-030-10-20-10643 x 3 x 10.99
R-Q-Y-040-5-20-10644 x 4 x 52.6R-Q-Y-040-10-20-10644 x 4 x 101.3
R-Q-Y-050-5-20-10645 x 5 x 53.3R-Q-Y-050-10-20-10645 x 5 x 101.7
R-Q-Y-060-5-20-10646 x 6 x 54.0R-Q-Y-060-10-20-10646 x 6 x 102.0
R-Q-X-020-5-20-10642 x 2 x 51.6R-Q-X-020-10-20-10642 x 2 x 10.79
R-Q-X-030-5-20-10643 x 3 x 51.6R-Q-X-030-10-20-10643 x 3 x 101.2
R-Q-X-040-5-20-10644 x 4 x 51.6R-Q-X-040-10-20-10644 x 4 x 101.6
R-Q-X-050-5-20-10645 x 5 x 51.6R-Q-X-050-10-20-10645 x 5 x 102.0
R-Q-X-060-5-20-10646 x 6 x 51.6R-Q-X-060-10-20-10646 x 6 x 102.4
R-Q-X-070-5-20-10647 x 7 x 51.6R-Q-X-070-10-20-10647 x 7 x 102.8
R-Q-X-080-5-20-10648 x 8 x 51.6R-Q-X-080-10-20-10648 x 8 x 103.2
R-Q-X-090-5-20-10649 x 9 x 51.6R-Q-X-090-10-20-10649 x 9 x 103.6
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